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华澜微再度主持全球闪存峰会中国专场


      美国硅谷Santa Clara,当地时间8月9日,2016 Flash Memory Summit(以下简称2016 FMS)正式开幕,作为全球闪存存储行业规模最大、影响力最强、历史最悠久的大型会议,一经开幕就吸引了各界的目光。

      与前一年度的会议相同,华澜微电子股份有限公司总裁骆建军组织并主持了在大会第一天开幕的中国专场,来自中国学术界、企业界的代表,在主题为“Flash Growth and Opportunity in China”的中国专场中,向全球同行业者展示了中国所蕴藏的巨大产业机会以及中国闪存领域科研成果、自主知识产权的快速进展。

      作为FMS的主办方代表,峰会顾问委员Charles H.Sobey代表主办方表达了对中国市场的密切关注以及建立持续、良好的沟通联系的愿望,也希望连续两年举办的中国专场不仅能够持续发展下去,还能够日益壮大,加深中国学术界、企业界与全球闪存同行业者的联系。与此同时,他也代表主办方,对连续两年支持并组织中国专场的骆建军博士表达了感谢。

      华中科技大学的吴非教授与复旦大学的林殷茵教授在演讲中展示了中国学术界在闪存基础性研究方面的成果,在演讲中,吴非教授介绍了在闪存FTL方面的研究及相关实验结果,林殷茵教授则展示了对RRAM存储技术多年来的研究进展,RRAM这一未来闪存器件级基础技术,林殷茵教授及其研究改变了长期以来美国、日本、韩国垄断闪存基础研究的认知,其产业化进展和研究数据引起了同行业者的强烈兴趣。

      作为中国企业界的代表,华为和忆恒创源在中国专场也发表了演讲,华为公司技术专家魏明昌介绍了华为在闪存写入放大技术方面的研究成果,这一成果可以有效地改善闪存使用寿命,增强闪存存储速度及其效率,同时优化闪存系统的经济性和适用性。

      忆恒创源SSD事业部副总经理张泰乐则重点陈述了公司在PCIe固态盘方面持续不断的研究成果以及国内相关产品的应用现状与趋势。

      华澜微电子股份有限公司首席技术官、杭州电子科技大学微电子研究中心教授楚传仁在演讲中,向全球的同行业者展示了华澜微多年来在闪存控制器芯片方面的研究成果及最新进展,提高中国产业界在闪存控制器软硬件方面全球认知与影响力的同时,也将华澜微在本次全球闪存峰会上的亮点展露无遗。此外,楚传仁还介绍了华澜微和杭州电子科技大学微电子研究中心在存储阵列、NAS存储等方面的基础性研究结果。

      此外,WatchStor总编崔昊也在中国专场做了针对中国市场闪存应用普及趋势方面的介绍,对国内闪存行业发展、知识产权积累、互联网及视频行业的闪存应用等方面的话题做了总结。