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“新型嵌入式阻变存储器(RRAM)研究”项目

成为杭电首个千万级国家重点研发计划项目

       近日,国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项2018年度项目立项名单公示结束,杭州电子科技大学微电子研究中心主任骆建军教授主持的“新型嵌入式阻变存储器(RRAM)研究”项目获得立项。这是杭电历史上第一个主持承担的千万级国家重点研发项目。

       国家重点研发计划由原来的国家重点基础研究发展计划(973计划)、国家高技术研究发展计划(863计划)、国家科技支撑计划、国际科技合作与交流专项、产业技术研究与开发基金和公益性行业科研专项等整合而成,是针对事关国计民生的重大社会公益性研究,以及事关产业核心竞争力、整体自主创新能力和国家安全的战略性、基础性、前瞻性重大科学问题、重大共性关键技术和产品,为国民经济和社会发展主要领域提供持续性的支撑和引领。本项目预算近4000万元,获得1700余万中央财政经费支持,计划基于过去研发成果基础上,在数据存储的核心硬科技即“芯片”方面取得重大突破。

     “新型嵌入式阻变存储器(RRAM)研究”由骆建军教授团队牵头组织,中科院微电子所积极支持,联合了杭电产学研合作基地杭州华澜微电子有限公司、中电58所、西安电子科技大学、复旦大学、无锡中微高科电子有限公司、无锡中微腾芯电子有限公司共同参与攻关,拟在新型半导体存储器件--阻变存储器(RRAM)方面取得突破性的进展,并打通从实验室到产业化的关键环节,实现产业化应用。当前,嵌入式处理器(CPU)普遍使用NOR FLASH(或型闪存)作为存放程序代码和数据的仓库,但是工艺进步到40nm(纳米)、28nm甚至14nm以下的情况下,FLASH无法兼顾和CPU逻辑电路工艺兼容而且可靠的进一步缩小尺寸,全世界都在研究新型的存储器件,阻变存储器(RRAM)就是其中的一种。RRAM是利用了特种材料的电阻记忆特性来实现数据的保存,国外已经开始工业化批量生产的尝试,而国内还在实验室阶段。

       杭电微电子研究中心在片上系统芯片(SOC)、算法等方面有丰富经验,本项目就是要组织全国几家特色单位,深入实验室阶段的成果,研发出可靠、可重复利用的知识产权(IP)核,并通过摸索半导体工艺、应用各种算法、封装测试技术来提高稳定性、可靠性,从而把我国新型储存器RRAM技术推进到国际前沿水平。

       骆建军教授主持该项目,也因此成为我校首个领衔主持千万级国家重点项目的教师,代表着杭电科研实力的提升。微电子研究中心团队是杭电第一个浙江省领军型创新团队,设计并产业化我国第一颗固态硬盘(SSD)集成电路控制器芯片,获得浙江省科技进步一等奖。该中心的开创者、我国著名半导体专家邓先灿教授对此很高兴,她说:“集成电路芯片是电子信息系统的心脏,存储器芯片好比是数据的仓库,存储控制器芯片是仓库的看门人。我们正在努力,打造中国芯,实现一个梦想:把中国人的信息存放在中国人自己的硬盘中。”

       邓教授的弟子遍布全球,提到骆建军教授,她感到更为骄傲的是:“骆建军有太多第一,比如,他是杭电第一个、也是迄今为止唯一一个提前一年毕业的硕士研究生,他是我们杭电自己培养的第一个博士。更重要的是,我相信他还会给我们更多的第一。”